igbt

大芯超导有限公司元器件专业分销BASiC基本半导体碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二极管,BASiC SiC碳化硅模块，BASiC 碳化硅MOSFET模块，BASiC 混合IGBT单管，BASiC 混合IGBT模块，BASiC 三电平IGBT模块。BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子，绕过栅极控制回路上的发射极引线电感，从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并降低开关能量。英飞凌单管IGBT国产代替主要规格有BGH50N65HF1（IKW50N65RH5国产替代，AIKW50N65RF5国产替代，IKW50N65ES5国产替代，IKW50N65EH5国产替代，IKW50N65ET7国产替代），BGH50N65HS1典型应用户用光伏储能机双向Buck-Boost电路，单相光伏逆变器Heric电路 (IKW50N65SS5国产替代),BGH50N65ZF1（IKZA50N65RH5，IKZA50N65SS5国产替代），BGH75N65HF1（IKW75N65RH5国产替代，IKW75N65ES5国产替代，IKW75N65EH5国产替代，IKW75N65ET7国产替代），BGH75N65HS1典型应用户用光伏储能机双向Buck-Boost电路，单相光... [详细介绍]